[发明专利]用于自旋转矩振荡器(STO)的稳定层

摘要

本发明涉及用于自旋转矩振荡器(STO)的稳定层。在一个实施例中，一种自旋转矩振荡器(STO)包括：基准层，其具有能够自由面内旋转的磁化强度；场产生层(FGL)，其包括具有实质上在膜平面中的易磁化平面的至少一个磁膜，其中FGL的磁化强度能够面内旋转；和稳定层(STL)，其位于FGL的与基准层相对的一侧上，STL包括在膜平面中具有实际上易磁化平面的磁膜，其中STL的磁化强度能够面内旋转，其中STL的饱和磁化强度与STL的厚度的乘积小于FGL的磁化强度与FGL的厚度的乘积的一半。

主权项

一种装置，包括：主磁极，所述主磁极被定位于所述装置的面对介质表面处；以及自旋转矩振荡器(STO)，所述STO被定位成邻近所述主磁极，所述STO被配置成产生高频磁场，以协助将信息存储至磁记录介质，其中，所述STO包括：场产生层(FGL)，所述FGL包括在膜平面中具有实际上易磁化平面的至少一个磁膜，其中，所述FGL的磁化强度能够面内旋转；基准层，所述基准层具有能够自由面内旋转的磁化强度；以及稳定层(STL)，所述STL被定位于所述FGL的与所述基准层相对的一侧上，所述STL包括在膜平面中具有实际上易磁化平面的磁膜，其中，所述STL的磁化强度能够面内旋转，并且其中，所述STL的饱和磁化强度与所述STL的厚度的乘积小于所述FGL的磁化强度与所述FGL的厚度的乘积的一半。