[发明专利]一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法有效
| 申请号： | 201610041183.0 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106986554B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 周勇;李卫;川上泉;寺西久広;占克文 | 申请（专利权）人： | 杭州大和江东新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏;赵越剑 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法，以超高纯石英砂作为原料，通过球磨、混料搅拌制成料浆，采用流延、喷涂或刷涂工艺在石英坩埚上制成一种超高纯涂层，降低了坩埚渗透至多晶硅锭的杂质量，提升了硅锭质量，降低了多晶硅铸锭成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 涂层 石英 坩埚 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)选取粒度0.2mm‑0.6mm的超高纯石英砂，加入超高纯石英砂重量10％‑40％的去离子水，放入球磨机中球磨，制成浆料；(2)将步骤(1)制备的浆料、粒度0.15mm‑0.05mm的超高纯石英砂和硅溶胶混合，充分搅拌0.5‑2小时后，制成超高纯料浆；(3)将步骤(2)制备的超高纯料浆涂覆在石英坩埚的内表面，涂层厚度为0.1mm‑2mm，室温自然干燥1‑2小时后，放置到温度为80℃‑150℃的干燥炉中干燥1‑3小时得超高纯涂层石英坩埚。
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