[发明专利]含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201610031404.6 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105675160B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 田边;张仲恺;郑晨;史鹏;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;G01K1/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法，由高温保护薄膜组与并联钨铼薄膜热电偶共同构成传感器芯片。其中钨铼合金薄膜组、高温电极和氧化铝薄膜保护层这三部分均连接在碳化硅质基底上，覆盖非晶态碳化硅薄膜保护层。本发明能够能在高温下(1000‑1700K)，长时间测量温度信号，具有耐高温、防氧化、高塞贝克系数的特性，并同时解决了现有技术中存在的问题——如高温下的热失配、氧化、1400K附近基本失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 保护 薄膜 热电偶 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器，其特征在于，包括碳化硅质基底(1)，碳化硅质基底(1)的上表面设置并联钨铼合金薄膜组(2)；并联钨铼合金薄膜组(2)的正负极分别连接高温电极(3)，并联钨铼合金薄膜组(2)上依次设置有氧化铝薄膜保护层(4)和碳化硅薄膜保护层(5)；所述高温电极(3)与并联钨铼合金薄膜组(2)的冷端相连；所述并联钨铼合金薄膜组(2)被氧化铝薄膜保护层(4)完全包覆，氧化铝薄膜保护层(4)的厚度为并联钨铼合金薄膜组(2)厚度的2～3倍。
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