[发明专利]含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器及制备方法

权利要求书

1.含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器，其特征在于，包括碳化硅质基底(1)，碳化硅质基底(1)的上表面设置并联钨铼合金薄膜组(2)；并联钨铼合金薄膜组(2)的正负极分别连接高温电极(3)，并联钨铼合金薄膜组(2)上依次设置有氧化铝薄膜保护层(4)和碳化硅薄膜保护层(5)；所述高温电极(3)与并联钨铼合金薄膜组(2)的冷端相连；所述并联钨铼合金薄膜组(2)被氧化铝薄膜保护层(4)完全包覆，氧化铝薄膜保护层(4)的厚度为并联钨铼合金薄膜组(2)厚度的2～3倍。

2.根据权利要求1所述的含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器，其特征在于，所述并联钨铼合金薄膜组(2)的正极一侧与负极一侧厚度相同。

3.根据权利要求1或2所述的含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器，其特征在于，所述碳化硅薄膜保护层(5)为非晶态碳化硅薄膜保护层。

4.根据权利要求3所述的含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器，其特征在于，所述氧化铝薄膜保护层(4)被非晶态碳化硅薄膜保护层完全包覆，非晶态碳化硅薄膜保护层的厚度与并联钨铼合金薄膜组(2)厚度相同。

5.一种含高温保护薄膜组的钨铼薄膜热电偶传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将碳化硅压制抛光为表面粗糙度为10级的底片，并在80～200℃下进行无氧烧结，得到碳化硅质基底；

2)采用浓硫酸与双氧水的混合溶液，超声波清洗碳化硅质基底；其中，浓硫酸与双氧水的体积比例为3:1；

3)清洗后脱水烘干，单面涂覆光刻胶，采用光刻掩膜版进行紫外线光刻，刻蚀深度为2μm；

4)采用磁控溅射，选取150w功率，60sccm流量，镀并联钨铼合金薄膜组；

5)剥离，使用丙酮溶液洗涤，磁控溅射镀氧化铝薄膜保护层；

6)冷却，磁控溅射镀非晶态碳化硅薄膜保护层；

7)激光打孔，在碳化硅质基底打孔，采用高温水泥与高温导电胶复合连接，将电偶补偿导线引入，制作高温电极。