[发明专利]一种半极性LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610030333.8 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105489724B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 杜成孝;郑建森;张洁;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半极性LED外延结构及其制作方法，包括工艺步骤：提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上生长半导体底层结构，使得其表面形成V型坑，V型坑的侧面为半极性面，对应(1‑101)晶面族；在所述半导体底层结构的半极性面上生长半导体功能层。本发明不需要选区外延，不需要二次外延，简化制作工艺流程；半极性面为(1‑101)晶面族，平滑的导带底和价带顶在倒空间交叠面积很大，辐射复合效率大大增加；通过材料生长工艺调节实现半极性面的裸露，而不受制于衬底几何形状，实现制备半极性面材料，可操作性强，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 半极性 半极性面 衬底 半导体底层结构 蓝宝石 晶面族 制备 材料生长工艺 辐射复合效率 半导体功能 表面形成 工艺步骤 选区外延 生长 工艺流程 倒空间 平滑 导带 价带 交叠 制作 裸露 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半极性LED外延结构，从下至上依次包括：蓝宝石衬底、半导体底层结构以及半导体功能层，其特征在于：所述半导体底层结构上表面具有V型坑，V型坑的侧面为半极性面，对应(1‑101)晶面族；所述蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，以获得大小确定且规则的表面V型坑阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610030333.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带光源的芯片载架机构
- 下一篇：一种高锁频精度激光器
