[发明专利]一种半极性LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610030332.3 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105679903B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 杜成孝;郑建森;张洁;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半极性LED外延结构及其制作方法，包括工艺步骤：提供一蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底上生长半导体底层结构，使得其表面形成纳米V型坑，V型坑的侧面为半极性面，对应(1‑101)晶面族；在所述半导体底层结构的半极性面上生长半导体功能层。本发明不需要选区外延和二次外延；半极性面为(1‑101)晶面族，平滑的导带底和价带顶在倒空间交叠面积很大，辐射复合效率大大增加；通过材料生长工艺调节实现半极性面的裸露，而不受制于衬底几何形状，实现制备半极性面材料，成本低廉；与现有的芯片制程融合度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半极性LED外延结构，从下至上依次包括：蓝宝石衬底、半导体底层结构以及半导体功能层，其特征在于：所述半导体底层结构表面具有纳米V型坑，V型坑的侧面为半极性面，对应(1‑101)晶面族；所述蓝宝石衬底为纳米图形化蓝宝石衬底，所述纳米V型坑的线径尺寸为100~1000nm。
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