[发明专利]非平面晶体管的源极/漏极触点

摘要

本描述涉及制造具有非平面晶体管的微电子设备的领域。本发明的实施例涉及在非平面晶体管内的源极/漏极触点的形成，其中在具有分立的硅化钛的源极/漏极触点的形成中可使用含钛接触界面，该分立的硅化钛形成在含钛界面和含硅源极/漏极结构之间。

主权项

一种装置，包括：包括硅的鳍片；在所述鳍片的至少一部分之上的非平面栅极电极；在所述栅极电极的第一侧上的第一隔板；在所述栅极电极的第二侧上的第二隔板；第一介电材料，所述第一隔板位于所述栅极电极与所述第一介电材料的至少一部分之间；在所述栅极电极上方的覆盖介电层，所述第一介电材料的至少一部分位于所述覆盖介电层下方；在所述覆盖介电层上方的第二介电层；至少部分地在所述鳍片中的源极区，所述源极区包括硅和至少一个其它元素；在所述源极区上的硅化物区，所述硅化物区包括硅和钛并至少基本上无镍；源极触点，其与所述第二介电层的至少一部分、所述覆盖介电层的至少一部分、以及所述第一介电材料的至少一部分接触，所述源极触点包括：在所述触点的底部和侧面上的界面层，所述触点界面层包括钛和氮；以及触点填充材料，所述触点填充材料包括钨，所述界面层位于所述触点填充材料的至少一部分与在所述触点的底部处的所述硅化物区之间，并且所述界面层位于所述填充材料的至少一部分与在所述触点的侧面处的所述第一介电材料的至少一部分之间，并且所述界面层还位于所述触点填充材料的至少一部分与在所述触点的侧面处的所述第二介电材料的至少一部分之间；以及其中在穿过所述鳍片的至少一个截面中，整个所述硅化物区位于所述源极触点下面。