[发明专利]一种用于二极管制作过程的半导体材料焊接工艺方法

摘要

本发明涉及一种用于二极管制作过程中半导体材料焊接工艺方法，主要包括以下步骤：1、焊接：本工序在隧道式焊接炉高温加热段完成，焊接温度控制在330‑350℃，焊接时间为12‑18分钟。2、自然降温：本工序在隧道式焊接炉自然降温段完成，使炉膛和原冷却管套之间充满空气呈自然“无压”状态。使材料在此过程中，由320℃降至290℃，其降温速率能得到有效控制(≤5℃/分钟)，材料焊接拉力：42mil晶粒平均拉力≥4kg；焊接气孔平均＜10％。3、水冷却：本工序在隧道式焊接炉水冷却段完成，水温30‑40度，水流速为传统技术的2倍，出口温度能有效控制在140℃以下。本发明改进了传统焊接技术，产品质量大幅提高。

主权项

1.一种用于二极管制作过程中半导体材料焊接工艺方法，主要包括以下步骤：A、焊接：本工序在隧道式焊接炉高温加热段完成，焊接温度控制在 330‑350℃，焊接时间为12‑18分钟，使焊接之焊料完全熔化，达到焊接要求；B、自然降温：本工序在隧道式焊接炉自然降温段完成，自然降温段设有与隧道式焊接炉外部相连通的通气孔；此工艺改进了原有第一水冷却段用水循环冷却技术，使炉膛和原冷却管套之间充满空气呈自然无压状态；使材料在此过程中，由320℃降至290℃，所使用的焊料在此过程中由液相变为固相，这一过程呈自然降温过程，其降温速率能得到有效控制，每分钟小于5℃，材料焊接拉力：42mil晶粒平均拉力≥4kg；焊接气孔平均＜10％；C、水冷却：本工序在隧道式焊接炉水冷却段完成，循环水从进水孔注入，出水孔流出，水温30‑40度，水流速为传统技术的2倍，从而加大原有水循环降温区间的降温速率，使得材料出口温度能有效控制在140℃以下。