[发明专利]金属纳米点阵列和用于形成纳米点装置的方法有效
申请号: | 201610027870.7 | 申请日: | 2016-01-16 |
公开(公告)号: | CN105800549B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 威尔伯·卡托贝;夏维仁;艾伯特·布吕格曼;姚杰森 | 申请(专利权)人: | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
主分类号: | B82B1/00 | 分类号: | B82B1/00;B82B3/00;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李阳 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米点阵列及相关联的构建方法,其中纳米点阵列包括布置在一基板上以进一步应用的多个纳米点。 | ||
搜索关键词: | 金属 纳米 阵列 用于 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米点阵列,包括:一支撑件,其包括一阵列,所述阵列包括形成在其中的多个初始空腔;所述支撑件包括一基板,所述基板包括形成在其上的介电材料层,初始空腔的阵列包括形成在所述介电材料层中的规则间隔和尺寸的初始空腔的有图案的阵列;且其中修整空腔的内表面包括一金属晶种层,所述金属塞子安置在所述金属晶种层上一修整件,其设置在各个所述空腔内使得初始空腔的侧壁变窄至期望的宽度,以形成其中限定了纳米点布置位置的修整空腔;金属塞子,其形成在相关联的纳米点布置位置,以使得纳米点暴露的上表面限定了包括多个纳米点的一纳米点阵列;其中所述纳米点阵列在基板上形成的方法,包括以下步骤:在一支撑件中形成多个初始空腔,其中所述初始空腔各自具有初始宽度;修整所述初始空腔的初始宽度,使所述初始空腔变窄至期望尺寸,从而形成相关联的修整空腔,所述修整空腔包括相对所述初始宽度变窄的修整宽度;所述方法进一步能够形成纳米点阵列,其中,形成修整空腔的所述修整界定了由修整空腔的修整宽度限定的纳米点布置位置,进一步包括以下步骤:在修整空腔限定的纳米点布置位置形成多个金属塞子,使得能够形成包括多个纳米点的纳米点阵列;其中在所述支撑件中形成所述多个初始空腔的步骤包括:在一机械弹性基板上形成一介电层;及从所述支撑件各向异性地蚀刻材料,以形成所述初始空腔的规则间隔的阵列,各空腔具有基本相同的尺寸和形状,各自具有所述初始宽度;且修整包括形成在其上的共形层的所述初始空腔的初始宽度的步骤进一步包括:执行一第一修整蚀刻,其包括各向异性地蚀刻共形层,以暴露下面的机械弹性基板;执行一第二修整蚀刻,包括各向同性地蚀刻共形层的侧壁,从而在侧壁中形成弓形轮廓,以使得侧壁轮廓至少比修整空腔的底部更窄;形成多个金属塞子的步骤包括:在修整空腔内的机械弹性基板的暴露部分上沉积金属材料;且进一步包括以下步骤:移除所述介电层,留下布置在机械弹性基板表面上的多个纳米点,从而形成纳米点阵列,以使得纳米点是规则间隔的且具有基本相同的形状和尺寸。
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