[发明专利]制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路有效
申请号: | 201610018737.5 | 申请日: | 2016-01-12 |
公开(公告)号: | CN105675051B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 赖建文 | 申请(专利权)人: | 上海申矽凌微电子科技有限公司 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;H01L21/77 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 201108 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供的一种制造传感器集成电路的方法及使用该方法制造的集成电路,包括如下步骤:步骤1,在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路,在第一衬底硅片上制造与温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线;步骤2,在第一衬底硅片上制造第二衬底硅片,在第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器,在第二衬底硅片面向第一衬底硅片的一侧设有与红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线;步骤3,连接红外光和可见光亮度传感器与温湿度传感器集成电路;步骤4,封装。本发明的有益效果如下:可将温度、湿度传感器以及红外光和可见光亮度传感器集合制造在一起,成为一个单一器件,减少体积,功耗和制造成本,提高测量的精度。 | ||
搜索关键词: | 衬底硅片 红外光 制造 亮度传感器 可见光 温湿度传感器 集成电路 传感器集成电路 金属铝 布线 集成电路连接 湿度传感器 制造成本 功耗 封装 测量 集合 | ||
【主权项】:
一种制造传感器集成电路的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在第一衬底硅片上制造温湿度传感器集成电路,在所述第一衬底硅片上制造与所述温湿度传感器集成电路连接的第一金属铝布线;步骤2,在所述第一衬底硅片上制造第二衬底硅片,在所述第二衬底硅片上制造红外光和可见光亮度传感器,在所述第二衬底硅片面向所述第一衬底硅片的一侧设有与所述红外光和可见光亮度传感器连接的第二金属铝布线;步骤3,连接所述红外光和可见光亮度传感器与所述温湿度传感器集成电路;步骤4,封装。
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