[发明专利]一种提高太阳能电池效率的制冷涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201610018629.8 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105679879B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 车春玲 | 申请（专利权）人： | 山东星火科学技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028;H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高太阳能电池效率的制冷涂料的制备方法，其特征在于包括以下步骤将硅片表面进行清洗；将步骤(1)所得的硅片进行制绒；将步骤(2)所得的硅片制备多孔硅,多孔硅的孔径在0.5um‑10um，在硅片表面制作光子晶体制冷涂层；将步骤(3)所得的硅片上制作发射极、周边刻蚀、磷硅酸玻璃去除；将步骤(4)所得的硅片再依次进行沉淀氮化硅膜、高温退火、采用丝印正方面电极和背铝、烧结。其有益效果为太阳能电池表面的多孔硅结构以及制冷涂层可有效降低太阳能电池的温度，提高工作状态下的发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 太阳能电池 效率 制冷 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高太阳能电池效率的制冷涂料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将硅片表面进行清洗；(2)将步骤(1)所得的硅片进行制绒；(3)将步骤(2)所得的硅片制备多孔硅,多孔硅的孔径在0.5um‑10um，在硅片的多孔硅表面制作光子晶体制冷涂层；(4)将步骤(3)所得的硅片上制作发射极、周边刻蚀、磷硅酸玻璃去除；(5)将步骤(4)所得的硅片再依次进行沉淀氮化硅膜、高温退火、采用丝印正面电极和背铝、烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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