[发明专利]基于1,10‑菲啰啉的热活化延迟荧光材料及其制备方法、应用有效
申请号: | 201610013702.2 | 申请日: | 2016-01-07 |
公开(公告)号: | CN105461717B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 朱旭辉;魏鑫峰;谭婉怡;彭灵;彭俊彪;曹镛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 陈文姬 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了基于1,10‑菲啰啉为吸电性单元,芳基取代的氨基单元为供电性单元的热活化延迟荧光材料。本发明还提供上述荧光材料的制备方法,包括以下步骤(1)制备含有芳基取代的氨基单元的溴代目标产物;(2)所得到的溴代目标产物,通过正丁基锂,与异丙氧基频哪醇硼酸酯反应,得到含硼酸酯的目标产物;(3)步骤(2)中所得到的含硼酸酯的目标产物和3‑溴‑1,10‑菲啰啉在钯催化剂的作用下,生成基于1,10‑菲啰啉的热活化延迟荧光材料。本发明材料合成提纯简单,具有较好的溶解性,同时具有良好的薄膜形态和较高的载流子迁移率,在有机电致发光器件中具有重要的应用价值和应用前景。 | ||
搜索关键词: | 基于 10 菲啰啉 活化 延迟 荧光 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
基于1,10‑菲啰啉的热活化延迟荧光材料,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料为Phen‑Cz‑t‑BuPh,具有以下化学结构:
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