[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201610011731.5 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN106328200B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 金成镐;朴玟相;李庚泽 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其操作方法。半导体器件包括具有编程页和未编程页的存储块；外围电路，配置为执行存储块的读取操作；以及控制电路，配置为控制外围电路使得读取被施加至耦接到用于读取操作的页之中的选定页的字线，第一通过电压被施加至耦接到未选定用于读取操作的页之中的编程页的字线，以及比第一通过电压低的第二通过电压被施加到耦接到未选定用于读取操作的页之中的未编程页的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：存储块，包括编程页和未编程页；外围电路，配置为在存储块的读取操作期间提供读取电压、第一通过电压以及第二通过电压；以及控制电路，配置为控制外围电路使得读取电压被施加至耦接到用于读取操作的页之中的选定页的字线，第一通过电压被施加至耦接到未选定用于读取操作的页之中的编程页的字线，以及比第一通过电压低的第二通过电压被施加到耦接到未选定用于读取操作的页之中的未编程页的字线。
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