[发明专利]存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置有效
| 申请号： | 201610009723.7 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106952662B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈宗仁 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器装置刷新方法及可调整刷新操作频率的存储器装置，适用于存储器装置的其中一个半导体阱区的一存储器阵列。本发明的刷新方法包括以下步骤。记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准。判断未被选择的多个扇区。判断任一擦除脉冲次数或任一擦除电压位准是否大于等于一预定值。当擦除脉冲次数或擦除电压位准大于等于预定值时，使用第二刷新操作频率刷新未被选择的扇区。当擦除脉冲次数或擦除电压位准小于预定值时，使用第一刷新操作频率刷新未被选择的扇区。第一刷新操作频率小于第二刷新操作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 刷新 方法 可调整 操作 频率 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置的刷新方法，适用于一存储器装置的其中一个半导体阱区的一存储器阵列，其特征在于，包括：记录每个擦除指令中的擦除脉冲次数及/或擦除电压位准；判断未被选择的多个扇区；判断任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准是否大于等于一预定值；当任一所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准大于等于所述预定值时，使用一第二刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区；以及当所述擦除脉冲次数或所述擦除电压位准小于所述预定值时，使用一第一刷新操作频率刷新所述未被选择的扇区，且所述第一刷新操作频率小于所述第二刷新操作频率。
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