[发明专利]一种室温下NH3气敏传感器件及制备方法在审

专利信息
申请号: 201610000268.4 申请日: 2016-01-03
公开(公告)号: CN105510403A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 赵利;庄军;朱苏皖 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于气体传感器技术领域,具体为一种室温下NH3气敏传感器件及其制备方法。本发明制备方法是使用物理或者化学刻蚀的方法,在一定厚度的、电阻率为1-10Ω·cm的p型单晶硅片表面形成尺度为1-10μm的准周期性微结构,并在真空中对微结构表面进行热蒸发或者磁控溅射镀膜,形成金属电极,制成氨敏传感器件。该器件材料制备简单,成本低廉,克服了普通氨敏传感器工作温度高,响应及恢复速度较慢等缺点,在室温下对ppm级氨气具有极快的响应时间和恢复时间,同时具有较高灵敏度和选择性,在NH3检测传感领域具有广阔应用前景。
搜索关键词: 一种 室温 nh sub 传感 器件 制备 方法
【主权项】:
 一种室温下NH3气敏传感器件,其特征在于,是利用物理或化学刻蚀方法,在单晶硅片表面形成准周期性微结构,并通过热蒸发镀膜或者磁控溅射方法形成电极而得到。
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