[其他]用于在基板上进行层沉积的设备有效
| 申请号： | 201590001416.3 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN209227052U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 朴炫灿;伊夫林·希尔;林东吉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及一种用于在基板上进行层沉积的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有用于处理基板的处理区；有至少三个溅射阴极的阵列，其中所述至少三个溅射阴极各自提供等离子体区，其中在所述至少三个溅射阴极的操作期间供应沉积材料；以及控制器，所述控制器被配置以用于仅使每个等离子体区围绕相应旋转轴线从第一旋转位置旋转至第二旋转位置一次，其中在所述第一旋转位置中，引导每个等离子体区远离所述处理区，并且其中所述控制器被配置以用于通过使每个等离子体区从所述第一旋转位置旋转至所述第二旋转位置而使每个等离子体区在所述处理区上方移动。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体区 旋转位置 溅射阴极 控制器 处理区 真空腔室 基板 沉积 操作期间 沉积材料 处理基板 上方移动 旋转轴线 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基板上进行层沉积的设备，其特征在于，包括：真空腔室，所述真空腔室具有用于处理基板的处理区；有至少三个溅射阴极的阵列，其中所述至少三个溅射阴极各自提供等离子体区，其中在所述至少三个溅射阴极的操作期间供应沉积材料；以及控制器，所述控制器被配置以用于仅使每个等离子体区围绕相应旋转轴线从第一旋转位置旋转至第二旋转位置一次，其中在所述第一旋转位置中，引导每个等离子体区远离所述处理区，并且其中所述控制器被配置以用于通过使每个等离子体区从所述第一旋转位置旋转至所述第二旋转位置而使每个等离子体区在所述处理区上方移动。
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