[其他]饱和自振荡推挽式隔离DC-DC转换器有效

专利信息
申请号: 201590001040.6 申请日: 2015-10-23
公开(公告)号: CN208589912U 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 罗希特·西达帕拉 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种饱和自振荡推挽式隔离DC‑DC转换器包括:DC输入;变压器,包括第一初级绕组和第二初级绕组、第一次级绕组和第二次级绕组以及第一反馈绕组和第二反馈绕组;第一场效应晶体管;第二场效应晶体管;以及驱动电路,连接至所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。所述驱动电路包括偏置电路,所述偏置电路在所述转换器的启动期间经由所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组向所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极施加偏置电压,其中在所述转换器的启动之后所述偏置电压减小为零或者基本上为零;以及复位电路,当关断所述转换器时所述复位电路将所述偏置电路复位。所述转换器是自振荡推挽式DC‑DC转换器。
搜索关键词: 场效应晶体管 转换器 反馈绕组 偏置电路 推挽式 自振荡 初级绕组 次级绕组 复位电路 偏置电压 驱动电路 饱和 隔离 启动期间 复位 减小 变压器 施加
【主权项】:
1.一种饱和自振荡推挽式隔离DC‑DC转换器,包括:DC输入;变压器,包括第一初级绕组和第二初级绕组、第一次级绕组和第二次级绕组以及第一反馈绕组和第二反馈绕组;第一场效应晶体管;第二场效应晶体管;以及驱动电路,连接至所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,所述驱动电路包括:偏置电路,所述偏置电路包括串联连接在所述DC输入和地之间的电容器和电阻器,并且所述偏置电路在所述转换器的启动期间经由所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组向所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极施加偏置电压,其中在所述转换器的启动之后所述偏置电压减小为零或者基本上为零;以及复位电路,当关断所述转换器时所述复位电路将所述偏置电路复位;其中所述转换器是自振荡推挽式DC‑DC转换器;所述电容器的第一端子连接至所述DC输入;所述电容器的第二端子连接至所述电阻器的第一端子以及所述第一反馈绕组和第二反馈绕组的中心抽头;所述电阻器的第一端子连接至所述电容器的第二端子以及所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组的中心抽头;所述电阻器的第二端子接地;以及在所述电容器完全充电之后,所述电阻器将所述第一反馈绕组和所述第二反馈绕组的中心抽头处的电压减小为地电压或者基本上为地电压。
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