[发明专利]具有用于量子计算设备的高品质界面的层间电介质的构造有效
| 申请号： | 201580085781.1 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109314174B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·爱德华·梅格兰特 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘体层、和所述第一绝缘体层上的第一电介质层；提供第二晶片，所述第二晶片包括第二衬底、所述第二衬底上的第二绝缘体层、和所述第二绝缘体层上的第二电介质层；在所述第一电介质层上形成第一超导体层；在所述第二电介质层上形成第二超导体层；将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面以形成晶片堆叠；并且在所述第一电介质层的暴露的第一表面上形成第三超导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 量子 计算 设备 品质 界面 电介质 构造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘体层、和所述第一绝缘体层上的第一电介质层；提供第二晶片，所述第二晶片包括第二衬底、所述第二衬底上的第二绝缘体层、和所述第二绝缘体层上的第二电介质层；在所述第一电介质层上形成第一超导体层；在所述第二电介质层上形成第二超导体层；将所述第一超导体层的表面接合到所述第二超导体层的表面以形成晶片堆叠；以及在所述第一电介质层的第一表面上形成第三超导体层。
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