[发明专利]用于应力增强与接触的通过背侧显露实现的深EPI有效
| 申请号： | 201580083358.8 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028278B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | A.D.利拉克;S.M.策亚;R.梅汉德鲁;P.莫罗;P.H.凯斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包含具有应变沟道的非平面晶体管以及形成这样的晶体管的方法。在实施例中，非平面晶体管可以包含半导体衬底。根据实施例，第一源极/漏极（S/D）区域和第二S/D区域可以形成在半导体衬底之上并且通过沟道区域彼此分离。栅极堆叠可以形成在沟道区域之上。为了增加在沟道区域中可以诱导的应变的量，实施例可以包含在半导体衬底中形成从沟道区域下面去除半导体衬底的至少一部分的应变增强开口。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 应力 增强 接触 通过 显露 实现 epi | ||
【主权项】：
1.一种非平面晶体管，包括：半导体衬底；通过沟道区域与第二S/D区域分离的第一源极/漏极（S/D）区域，其中，所述第一S/D区域和所述第二S/D区域形成在所述半导体衬底之上；形成在所述沟道区域之上的栅极堆叠；以及穿过所述半导体衬底形成的应变增强开口，其中，所述应变增强开口暴露所述沟道区域的底表面。
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