[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201580083197.2 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN108028201B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 松岛吉明;石田茂;高仓良平;宇津木觉;野寺伸武;松本隆夫 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 杨黎峰;钟锦舜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜晶体管，其具有基板、在该基板的表面形成的栅电极、在该栅电极的上侧形成的硅层和一部分在该硅层的上侧形成的源电极和漏电极，其特征在于，所述硅层包含由非晶硅形成的非晶部、包含多晶硅的第1多晶部和包含多晶硅并且结晶性比所述第1多晶部低的第2多晶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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