[发明专利]包括MuGFET的压控振荡器有效
申请号: | 201580075207.8 | 申请日: | 2015-11-12 |
公开(公告)号: | CN107210707B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | A·M·贝克勒;P·乌帕德亚雅 | 申请(专利权)人: | 赛灵思公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人: | 宋海宁;毛健 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述了压控振荡(100)。在用于压控振荡的设备中,电感器(120)具有抽头以及具有或被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)。粗粒度电容器阵列(130)被耦接到所述正端输出节点(105)和所述负端输出节点(106),并且被耦接以分别接收选择信号(168)。变容二极管(140)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)并且被耦接以接收控制电压(143)。变容二极管(140)包括MuGFET(141,142)。跨导单元(150)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106),并且跨导单元(150)具有公共节点(107)。频率缩放的电阻网络(160)被耦接到公共节点(107),并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的选择信号(168)。 | ||
搜索关键词: | 包括 mugfet 压控振荡器 | ||
【主权项】:
一种压控振荡器,其特征在于,所述压控振荡器包括:电感器,其具有抽头,并且具有或被耦接到正端输出节点和负端输出节点,其中所述抽头被耦接以接收第一电流;粗粒度电容器阵列,其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点,并且被耦接以分别接收选择信号;变容二极管,其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点,并且被耦接以接收控制电压;其中所述变容二极管包括第一MuGFET;跨导单元,其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点,并且具有公共节点;以及频率缩放的电阻网络,其被耦接到所述公共节点,并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的所述选择信号。
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