[发明专利]多芯片双写入有效
申请号: | 201580071503.0 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN107112044B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | R.H.萨特雅纳拉扬;V.桑迪普 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C8/12 | 分类号: | G11C8/12;G11C16/10;G11C29/00;G11C7/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 万里晴 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通过以下方式来将相同数据写入连接至存储器总线的多个非易失性存储器芯片中:向第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片发送地址信息;选择所述第一和第二非易失性存储器芯片;当所述第一非易失性和第二非易失性存储器芯片都被选择时,通过所述存储器总线向所述第一和第二非易失性存储器芯片并行地发送用户数据;并且并行地在所述第一非易失性存储器芯片和所述第二非易失性存储器芯片中对所述用户数据进行编程。 | ||
搜索关键词: | 芯片 写入 | ||
【主权项】:
一种将相同数据写入连接至存储器总线的多个非易失性存储器芯片的方法,所述方法包括:向第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片发送地址信息;选择所述第一非易失性存储器芯片;选择所述第二非易失性存储器芯片;当所述第一非易失性存储器芯片和所述第二非易失性存储器芯片都被选择时,通过所述存储器总线向所述第一非易失性存储器芯片发送用户数据,并且通过所述存储器总线并行地向所述第二非易失性存储器芯片发送所述用户数据;以及并行地在所述第一非易失性存储器芯片和所述第二非易失性存储器芯片中对所述用户数据进行编程。
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