[发明专利]用于薄膜太阳能电池的层结构和制造方法有效
| 申请号： | 201580062144.2 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107112377B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 罗兰·伍尔兹;迈克尔·颇瓦拉;菲利普·杰克逊;迪米特里奥斯·哈里斯科斯 | 申请（专利权）人： | 巴登符腾堡太阳能和氢研究中心 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/062;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于薄膜太阳能电池的层结构和制造方法。本发明涉及一种用于薄膜太阳能电池(1)的层结构，包括光伏吸收剂层(5)，所述光伏吸收剂层(5)至少在与光伏吸收剂层的表面(6)邻近的区域中掺杂有至少一种碱金属。本发明还涉及一种用于制造这种层结构的方法。根据本发明，所述层结构在光伏吸收剂层(5)的表面(6)上具有，设计成保护光伏吸收剂层免受腐蚀的氧化钝化层(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 太阳能电池 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜太阳能电池的层结构，包括光伏吸收剂层(5)，所述光伏吸收剂层(5)至少在与所述光伏吸收剂层的表面(6)邻近的区域中掺杂有至少一种碱金属，其特征在于位于所述光伏吸收剂层(5)的所述表面(6)上的氧化钝化层(8)，所述氧化钝化层设计成保护所述光伏吸收剂层免受腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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