[发明专利]具有均匀且高纵横比的纳米间隙的柱阵列结构有效
申请号: | 201580060722.9 | 申请日: | 2015-11-17 |
公开(公告)号: | CN107076763B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | J·T·史密斯;R·L·布鲁斯;Y·A·阿斯迪尔;王超;B·H·万施 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G01N33/68 | 分类号: | G01N33/68 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了涉及分选实体技术。入口被配置为接收流体,以及出口被配置为排出流体。连接到入口和出口的纳米柱阵列被配置为允许流体从入口流到出口。纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱。纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙。间隙被构造为在纳米尺度范围中。 1 | ||
搜索关键词: | 纳米柱 流体 纳米柱阵列 配置 出口 分离实体 高纵横比 纳米尺度 纳米间隙 入口流 柱阵列 分选 排出 | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:入口,被配置为接收流体;出口,被配置为排出所述流体;以及纳米柱阵列,连接到所述入口和所述出口,所述纳米柱阵列被配置为允许所述流体从所述入口流到所述出口;其中所述纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱;其中所述纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙;以及其中所述间隙被构造为在纳米尺度范围中,其中所述纳米柱阵列包括施加在所述纳米柱上的氧化物层,所述氧化物层使得所述纳米柱的直径的不匀整变得均匀,从而使得所述间隙沿着所述一个纳米柱和所述另一个纳米柱的垂直轴均匀。
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