[发明专利]用于生产激光芯片的方法

摘要

本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；用于在半导体晶片的顶侧上创建多个凹处（200）的步骤，所述凹处被沿着破裂方向一个接在另一个之后地布置，其中每个凹处具有在破裂方向上一个接在另一个之后的前边界表面（210）和后边界表面（220），其中，在至少一个凹处的情况下，后边界表面相对于半导体晶片的顶侧倾斜在95°和170°之间的角度；以及用于在垂直于半导体晶片的顶侧定向并延伸通过凹处的破裂平面处在破裂方向上使半导体晶片破裂的步骤。

主权项

1.一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括以下步骤：/n- 提供包括顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100），/n其中所述半导体晶片（100）包括沿着所限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；/n- 在所述半导体晶片（100）的顶侧（101）上创建沿着所述断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个凹陷（300），/n其中每个凹陷（300）在所述断裂方向（10）上相继地包括前边界面（210）和后边界面（220），/n其中在至少一个凹陷（300）的情况下，所述后边界面（220）相对于所述半导体晶片（100）的顶侧（101）倾斜在95°和170°之间的角度（221），/n其中至少一个凹陷（300）包括与所述后边界面（220）相邻的肩部（310），其中所述肩部（310）包括平行于所述半导体晶片（100）的顶侧（101）并且与所述后边界面（220）相邻的肩部面（320）；/n- 在与所述半导体晶片（100）的顶侧（101）垂直地定向并且行进通过所述凹陷（300）的断裂平面（20）处在所述断裂方向（10）上使所述半导体晶片（100）断裂，/n其中相应的凹陷（300）被布置在两个相邻的激光二极管结构（141）之间，/n其中至少一个凹陷（300）被布置成与在所述断裂方向（10）上定位于所述凹陷（300）的最接近下游的激光二极管结构（141）相比更接近于在所述断裂方向（10）上定位于所述凹陷（300）的最接近上游的激光二极管结构（141），/n其中在凹陷（300）和所述断裂方向（10）上定位于所述凹陷（300）的最接近下游的激光二极管结构（141）之间的距离（245）至少为在该凹陷（300）和所述断裂方向（10）上定位于该凹陷（300）的最接近上游的激光二极管结构（141）之间的距离（240）的量值的四倍。/n