[发明专利]基于聚合物的、微制造的热接地平面有效

专利信息
申请号: 201580059333.4 申请日: 2015-10-28
公开(公告)号: CN107003076B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 瑞恩·约翰·路易斯;李永正;刘·丽·安妮;王云达 申请(专利权)人: 科罗拉多州立大学董事会法人团体
主分类号: F28D15/02 分类号: F28D15/02;H01L23/427;B81C1/00;B81B1/00
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 美国科罗拉多州*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本文所描述的实施例涉及基于聚合物的热接地平面的概念和设计。依照一个实施例,聚合物被用作为制造热接地平面的材料。其他实施例包括利用两个阵列的微型柱状物的最佳的灯芯状结构设计,使用铜/聚合物处理、利用基于平板印刷术的对TGP进行微制造,微柱,嵌入在微柱中的节流释放孔、原子层沉积(ALD)亲水涂层、节流流体装填结构和密封方法、无缺陷的ALD气密涂层和顺应性结构设计。
搜索关键词: 接地平面 聚合物 微制造 节流 微柱 聚合物处理 平板印刷术 顺应性结构 原子层沉积 亲水涂层 灯芯状 释放孔 微型柱 装填 流体 气密 状物 密封 嵌入 制造
【主权项】:
1.一种用于形成热接地平面的方法,包括:在第一聚合物层上以第一图案沉积第一牺牲层;在所述第一牺牲层上沉积第二聚合物层;在所述第二聚合物层上沉积第二牺牲层;在所述第二聚合物层上沉积第一掩蔽层,所述第一掩蔽层具有使部分所述第二聚合物层暴露的多个暴露区域;对通过所述第一掩蔽层暴露的部分所述第二聚合物层进行蚀刻;移除所述第一掩蔽层;在所述第二牺牲层上的模具中以一图案沉积牺牲气相芯层;在所述牺牲气相芯层上沉积第三聚合物层;在所述第三聚合物层上沉积第二掩蔽层,所述第二掩蔽层具有使部分所述第三聚合物层暴露的多个暴露区域;对通过所述第二掩蔽层暴露的部分所述第三聚合物层进行蚀刻;移除所述第二掩蔽层;使用所述第三聚合物层中的孔来移除部分所述牺牲气相芯层;以及对所述第三聚合物层中的所述孔进行密封。
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