[发明专利]离子束蚀刻方法和离子束蚀刻设备有效
| 申请号： | 201580057360.8 | 申请日： | 2015-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN107004591B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 神谷保志;赤坂洋;坂本清尚 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种离子束蚀刻方法，由此可以在不会使装置大型化的情况下，即使在低入射角静止条件下也能够进行高度均一的IBE处理。该离子束蚀刻方法包括以下步骤：改变开口部相对于基板的位置；使用通过所述开口部的离子束来蚀刻所述基板；以及随着所述离子束入射到所述基板的位置的中心远离所述离子源，减小倾斜角。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 蚀刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种离子束蚀刻方法，其在离子束蚀刻设备中进行，所述离子束蚀刻设备包括：离子源，用于向基板发射离子束；基板保持器，用于保持所述基板并改变所述基板相对于所述离子源的倾斜角；以及遮光器，其具有使所述离子束通过的开口部并且能够改变所述开口部相对于所述基板的位置，其特征在于，所述离子束蚀刻方法包括以下步骤：改变所述开口部相对于所述基板的位置；利用通过所述开口部的离子束来蚀刻所述基板；以及随着所述离子束入射到所述基板的位置的中心远离所述离子源，减小所述倾斜角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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