[发明专利]制作及操作光学调制器的方法有效
申请号: | 201580056314.6 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN107078458B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 亨利·A·布劳维尔特;晓光·何;凯利·沃何拉 | 申请(专利权)人: | 昂科公司 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026;H01S5/042 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
一种半导体装置包括:衬底;整体增益区域,其安置于所述衬底上且可操作以响应于电流注入而产生光学增益,所述整体增益区域包含:第一电极,其位于所述增益区域的第一部分上方、具有第一长度L1,其中施加第一电流I |
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搜索关键词: | 制作 操作 光学 调制器 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:衬底;整体增益区域,其形成第一半导体区域、安置于所述衬底上且可操作以响应于电流注入而产生光学增益,所述整体增益区域包含从所述衬底的第一端延伸到所述衬底的与所述第一端相对的第二端的光学波导层,所述光学波导层包含:有源层,其形成于所述衬底的上表面上;反射镜,其设置于所述光学波导层的一端处;及出射孔口,其位于所述光学波导层的另一端上以用于发射光能;第一电极,其位于所述增益区域的第一部分上方、具有第一长度L1,其中施加第一电流I1;及第二电极,其位于所述增益区域的第二部分上方、具有第二长度L2,其中施加第二电流I2,其中I1/L1大于I2/L2。
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