[发明专利]通过RF耦合的膜应力均匀性控制和利用适配RF耦合的晶圆安装在审
申请号: | 201580055515.4 | 申请日: | 2015-10-13 |
公开(公告)号: | CN107624196A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | F.巴龙 | 申请(专利权)人: | 瑞士艾发科技 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 周学斌,郑冀之 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于真空处理系统中的晶圆的固定装置或夹具包括非导电主体,其具有用于在其上布置诸衬底(晶圆)的第一平面表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述主体包括多个电极对;每个电极对都包括具有第一电极表面的第一电极和具有第二电极表面的第二电极,所述电极表面经由导电装置互连并且被布置成基本上平行于所述第一和第二表面,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述第一表面定位并且所述第二电极比所述第一电极更靠近所述第二表面定位。这样的主体影响可以被用于晶圆和处于RF电位的底座之间的RF耦合以实现在膜沉积或其他衬底处理期间的均匀膜应力轮廓/分布。 | ||
搜索关键词: | 通过 rf 耦合 应力 均匀 控制 利用 安装 | ||
【主权项】:
一种用于真空处理系统的具有非导电主体的固定装置或夹具,该非导电主体具有用于在其上布置诸如晶圆之类的衬底的第一平面表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述主体包括多个电极对;每个电极对都包括具有第一电极表面的第一电极和具有第二电极表面的第二电极,所述电极表面经由导电装置互连并且被布置成基本上平行于所述第一和第二表面,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述第一表面定位并且所述第二电极比所述第一电极更靠近所述第二表面定位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造