[发明专利]通过RF耦合的膜应力均匀性控制和利用适配RF耦合的晶圆安装在审

专利信息
申请号: 201580055515.4 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN107624196A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: F.巴龙 申请(专利权)人: 瑞士艾发科技
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 周学斌,郑冀之
地址: 瑞士特*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于真空处理系统中的晶圆的固定装置或夹具包括非导电主体,其具有用于在其上布置诸衬底(晶圆)的第一平面表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述主体包括多个电极对;每个电极对都包括具有第一电极表面的第一电极和具有第二电极表面的第二电极,所述电极表面经由导电装置互连并且被布置成基本上平行于所述第一和第二表面,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述第一表面定位并且所述第二电极比所述第一电极更靠近所述第二表面定位。这样的主体影响可以被用于晶圆和处于RF电位的底座之间的RF耦合以实现在膜沉积或其他衬底处理期间的均匀膜应力轮廓/分布。
搜索关键词: 通过 rf 耦合 应力 均匀 控制 利用 安装
【主权项】:
一种用于真空处理系统的具有非导电主体的固定装置或夹具,该非导电主体具有用于在其上布置诸如晶圆之类的衬底的第一平面表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述主体包括多个电极对;每个电极对都包括具有第一电极表面的第一电极和具有第二电极表面的第二电极,所述电极表面经由导电装置互连并且被布置成基本上平行于所述第一和第二表面,所述第一电极比所述第二电极更靠近所述第一表面定位并且所述第二电极比所述第一电极更靠近所述第二表面定位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞士艾发科技,未经瑞士艾发科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580055515.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top