[发明专利]用于低温加压烧结的方法和装置有效
| 申请号： | 201580053121.5 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106796898B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·艾西尔;霍尔格·乌尔里奇 | 申请（专利权）人： | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上，其特征在于，为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 包含 低氧 气氛 封闭 低温 加压 烧结 生产 电子 组件 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.用于通过低温加压烧结生产电子组件的方法，该方法包括以下步骤：‑将电子部件安排在具有导体轨道的电路载体上，‑通过低温加压烧结将该电子部件连接到该电路载体上的接合材料而将该电子部件连接到该电路载体上，其中为了避免该电子部件或该导体轨道的氧化，该低温加压烧结在包含具有0.005％至0.3％的相对氧含量的低氧气氛的可封闭的烧结室中进行，其中在封闭该烧结室并且建立该低氧气氛之后，在进行该烧结之前经过一段时间以允许该室内的材料与该低氧气氛的平衡。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
