[发明专利]一种集成热电发电机有效
| 申请号： | 201580052847.7 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107078202B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 达尼洛·马斯科洛;朱塞佩·拉泰沙;西蒙尼·狄·马尔科;马尔科·朱斯蒂 | 申请（专利权）人： | 德尔塔蒂研究财团 |
| 主分类号： | H01L35/30 | 分类号： | H01L35/30;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在3D集成热电发电机(iTEG)的基板晶片上的集成Z‑器件结构的晶方可以三维异质集成模式、在没有或具有中介层晶片晶方的情况下进行堆叠，从而在它们之间进行相干热耦合。与谷底金属接头触点几何投影对应的穿过集成Z‑器件结构晶方的基板的半导体晶体厚度的穿通硅通孔(TSV)洞，以及与耦合Z‑器件结构的山顶金属接头触点几何投影对应的穿过中介层晶方的半导体晶体厚度的穿通硅通孔(TSV)洞具有铜或其它良好的热导体填充物，形成穿过堆叠的Z‑器件结构的低热阻热传导路径。热电生成的电流从在平面外热通量构造中操作的多层iTEG中的每个集成Z‑器件进行收集。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内部 空隙 热传导 路径 调节 平面 通量 构造 操作 集成 热电 发电机 | ||
【主权项】：
1.一种在Z‑器件结构的基板晶片(1)上的平面外热通量构造的集成热电发电机，其具有连接多晶半导体的限定薄膜线的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的并置端的山顶接头金属触点(7)和谷底接头金属触点(6)，所述Z‑器件结构的片段(4，5)具有Z形轮廓的特征，在具有比所述多晶半导体的热导率低的热导率的材料的山丘(3)的倾斜相对侧翼上延伸，用于将在与平面发电机正交的方向上流动的热的一部分转化为电，其特征在于，绝热材料的所述山丘中的所有谷都是由覆盖晶片(8，1')限定的空隙空间(V)，所述覆盖晶片(8，1')至少在其耦合表面上具有介电膜(9，2')和其上限定的键合金属焊盘(10)或基板晶片(1)的Z‑器件结构的镜状结构几何形状的Z‑器件结构，其适于根据倒装芯片对准键合技术与所述基板晶片(1)的所述Z‑器件结构的山顶金属触点(7)键合；所述基板晶片(1)和所述覆盖晶片(8，1')具有与所述金属触点(6，6'，7，7')或键合金属焊盘(10)几何投影对应的穿过晶片的半导体晶体的厚度的规则间隔通孔洞(11，12)阵列；在与所述谷底金属触点(6)几何投影对应的基板晶片的通孔洞(11)中和在与键合金属焊盘(10)或谷底金属触点(6')几何投影对应的覆盖晶片(8，1')的通孔洞(12)中的导热金属填充物(13)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德尔塔蒂研究财团，未经德尔塔蒂研究财团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580052847.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
