[发明专利]用于检验用于电学、光学或光电学的透明晶片的方法和系统有效
申请号: | 201580052315.3 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN106716112B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 马约·杜朗德热维涅;菲利普·加斯塔尔多 | 申请(专利权)人: | 统一半导体公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95;G01N21/88;G01B11/24 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 法国蒙特邦*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法,其包括:使晶片绕与所述晶片的主表面垂直的对称轴转动;从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束,以在两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间,缺陷通过所述测量空间的时间特征取决于缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值,所述干涉装置(30)和所述晶片相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸;收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分;捕获所收集的光并发射电信号;在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量;从所述缺陷通过的位置处的所述条纹间距的值,确定所述缺陷在径向方向和/或所述晶片的厚度中的位置。 | ||
搜索关键词: | 用于 检验 电学 光学 透明 晶片 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法,包括:‑使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动,‑从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束,以在所述两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间,所述干涉条纹横向于所述晶片的转动路径延伸并且在所述测量空间内具有可变的条纹间距,缺陷通过测量空间的时间特征取决于所述缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值,所述晶片在所述光源的波长是至少部分透明的,所述干涉装置(30)和所述晶片(2)相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸,所述区域的厚度小于所述晶片的厚度,‑收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分,‑捕获所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间的变化的电信号,‑在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量,所述频率是缺陷通过所述测量空间的时间特征,‑基于所述缺陷通过的位置处的条纹间距的值来确定所述缺陷在径向方向上和/或所述晶片的厚度中的位置。
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