[发明专利]用于检验用于电学、光学或光电学的透明晶片的方法和系统

权利要求书

1.一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，包括：

-使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，

-从与干涉装置(30)耦接的光源(20)发射两条类准直入射光束，以在所述两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的测量空间，所述干涉条纹横向于所述晶片的转动路径延伸并且在所述测量空间内具有可变的条纹间距，缺陷通过测量空间的时间特征取决于所述缺陷在所述测量空间中通过的位置处的条纹间距的值，所述晶片在所述光源的波长是至少部分透明的，

所述干涉装置(30)和所述晶片(2)相对于彼此布置为使得所述测量空间在所述晶片的区域中延伸，所述区域的厚度小于所述晶片的厚度，

-收集由所述晶片的所述区域散射的光的至少一部分，

-捕获所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间的变化的电信号，

-在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量，所述频率是缺陷通过所述测量空间的时间特征，

-基于所述缺陷通过的位置处的条纹间距的值来确定所述缺陷在径向方向上和/或所述晶片的厚度中的位置。

2.根据权利要求1所述的方法，所述干涉装置(30)是集成光学装置，其包括光导，所述光导的输入端与所述光源耦接并且被分成两个分支，所述光导的输出端被定向为在两条光束的交叉处形成所述测量空间。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述条纹间距在所述晶片的径向方向上变化。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述条纹间距在所述测量空间距所述晶片的转动轴最远的端部处的最小距离和所述测量空间距所述晶片的转动轴最近的端部处的最大距离之间变化。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述测量空间中，所述条纹间距在标称值的±50％的区间内变化。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述测量空间相对于所述晶片的主表面(S)的法线倾斜10°到80°的角度。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述测量空间相对于所述晶片的主表面(S)的法线倾斜0°到40°的角度。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括对信号进行带通滤波，所述滤波器的通带被选择为仅传输所述信号的、具有与在所述晶片的厚度中确定位置相关联的多普勒频率的部分。

9.一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的系统(1)，包括：

-用于驱动晶片绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动的装置(10)，

-光源(20)，其适配为发射类准直光束，所述类准直光束的波长被选择为使得所述光束的至少一部分透射穿过所述晶片(2)，

-干涉装置(30)，其与所述光源耦接，以将由所述光源(20)发射的光束分成两条光束并且在所述两条光束之间的交叉处形成包含干涉条纹的相应测量空间，条纹间距在所述测量空间内是可变的，

-用于收集由所述晶片散射的光的装置(40)，

-用于捕获所收集的光的装置(50)，其配置为发射表示所收集的光的光强度随时间的变化的电信号，

-处理装置(60)，其被配置为在所述信号中检测所述所收集的光的强度变化中的频率分量并且基于所述频率确定所述条纹间距的值和缺陷在径向方向上和/或所述晶片的厚度中的位置，其中所述频率是所述缺陷通过相应测量空间的时间特征并且取决于所述缺陷在所述测量空间中通过的位置处的所述条纹间距的值。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述干涉装置是集成光学装置。

11.根据权利要求9或10中任一项所述的系统，还包括用于沿径向平移移动所述干涉装置(30)和用于收集散射光的装置(40)的臂。