[发明专利]锁存器偏移抵消感测放大器在审
| 申请号： | 201580051582.9 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN107077880A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | S-O·郑;T·那;B·宋;J·P·金;S·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/06;G11C7/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 杨丽,李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 各系统和方法涉及使用在多个阶段中被配置的电路对磁阻式随机存取存储器(MRAM)位单元的操作。在感测电路阶段中，该电路被配置成确定跨位单元的数据电压与参考电压之间的第一差分电压。在预放大阶段中，该电路被配置成预放大第一差分电压以生成经预放大的差分电压，该经预放大的差分电压不具有由于工艺变动可能产生的偏移电压。在感测放大器阶段中，该电路被配置成在锁存器中放大该经预放大的差分电压。该经预放大的差分电压的生成抵消了可能在锁存器中产生的偏移电压。在写阶段中，该电路被进一步配置成将写数据值写入MRAM位单元。 | ||
| 搜索关键词： | 锁存器 偏移 抵消 放大器 | ||
【主权项】：
一种操作磁阻式随机存取存储器(MRAM)位单元的方法，所述方法包括：在感测电路阶段中，使用感测电路来确定跨MRAM位单元的数据电压与参考电压之间的第一差分电压；在预放大阶段中，预放大所述第一差分电压以生成没有偏移电压的经预放大的差分电压；以及在感测放大器阶段中，在感测放大器中放大所述经预放大的差分电压，其中所述经预放大的差分电压抵消所述感测放大器的偏移电压。
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