[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201580050312.6 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106716621B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | B-Y·阮;W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳<国际申请>=PCT/IB2 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 制造半导体结构的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)衬底，该衬底包括：基衬底；应力源层，其在基衬底上方；表面半导体层；以及介电层，其在应力源层与表面半导体层之间。注入离子进入或穿过所述应力源层的第一区域；在所述应力源层的第一区域上方的表面半导体层上形成附加半导体材料。改变所述应力源层的第一区域上方的表面半导体层的第一区域中的应变状态，形成至少部分地进入基衬底的沟槽结构。改变所述应力源层的第二区域上方的表面半导体层的第二区域中的应变状态。利用该方法制造的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 包括 应变 状态 不同 晶体管 沟道 半导体 方法 以及 相关 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n提供绝缘体上半导体SOI衬底，该SOI衬底包括：/n基衬底；/n应力源层，其在基衬底上方，且包括结晶应变材料；/n表面半导体层；以及/n介电层，其设置在应力源层与表面半导体层之间；/n注入离子进入或穿过所述应力源层的至少第一区域，而不注入离子进入或穿过所述应力源层的至少第二区域；/n在所述应力源层的至少第一区域上方的表面半导体层上形成附加半导体材料；/n改变所述应力源层的至少第一区域上方的表面半导体层的第一区域中的应变状态；/n形成穿过表面半导体层进入基衬底的至少一部分的沟槽结构；以及/n改变所述应力源层的至少第二区域上方的表面半导体层的第二区域中的应变状态；/n其中，改变所述应力源层的至少第二区域上方的表面半导体层的第二区域中的应变状态包括，使得表面半导体层的第二区域中的应变状态不同于表面半导体层的第一区域中的应变状态。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
