[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201580049440.9 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106716571B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤铁兵;国吉太;石井伦太郎;山方亮一 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C21D6/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括如下工序：1)烧结成形体，准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材含有：27.5质量％以上且34.0质量％以下的R、0.85质量％以上且0.93质量％以下的B、0.20质量％以上且0.70质量％以下的Ga、多于0.2质量％且0.50质量％以下的Cu、0.05质量％以上且0.5质量％以下的Al、和0质量％以上且0.1质量％以下的M，余量是T和不可避免的杂质，并满足式(1)和(2)；2)高温热处理工序，其是将R－T－B系烧结磁体原材，加热至730℃以上且1020℃以下的温度后，以5℃/分钟以上冷却至300℃的工序；3)低温热处理工序，其是将高温热处理工序后的R－T－B系烧结磁体原材加热至440℃以上且550℃以下的温度的工序。[T]－72.3[B]＞0(1)，([T]－72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，(还有，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量)。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其中，包括如下工序：1)烧结成形体，准备R‑T‑B系烧结磁体原材的工序，该R‑T‑B系烧结磁体原材含有：27.5质量％以上且31.0质量％以下的R，其中，R是稀土类元素之中至少一种，且必须含有Nd；0.85质量％以上且0.93质量％以下的B；0.20质量％以上且0.70质量％以下的Ga；多于0.2质量％且0.50质量％以下的Cu；0.05质量％以上且0.5质量％以下的Al；和0质量％以上且0.1质量％以下的M，其中，M是Nb和Zr双方或任意一方；余量是T和不可避免的杂质，其中，T为Fe和Co，以质量比计T的90％以上是Fe，并满足下式(1)和(2)，[T]‑72.3[B]＞0 (1)([T]‑72.3[B])/55.85＜13[Ga]/69.72 (2)上式中，[T]是以质量％表示的T的含量，[B]是以质量％表示的B的含量，[Ga]是以质量％表示的Ga的含量，2)高温热处理工序，将所述R‑T‑B系烧结磁体原材加热至730℃以上且1020℃以下的加热温度后，以5℃/分钟以上冷却至300℃，3)低温热处理工序，将所述高温热处理工序后的所述R‑T‑B系烧结磁体原材加热至440℃以上且550℃以下的温度。
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