[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明的课题在于提供一种能够高效率地进行处理室内的排气的技术。本发明的解决手段为，衬底处理装置具有：处理室，对衬底进行处理；处理气体供给系统，向处理室内供给处理气体；第一排气系统，与第一泵和类型不同于第一泵的第二泵连接，且对处理室内进行排气；第二排气系统，与第二泵连接且对处理室内进行排气；以及控制部，以对第一排气系统及第二排气系统进行如下控制的方式构成：在将供给至处理室内的处理气体从处理室内排出时，优先从第二排气系统对处理室内进行排气，当处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从第二排气系统切换成第一排气系统，并从第一排气系统对处理室内进行排气。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对衬底进行处理；处理气体供给系统，其向所述处理室内供给处理气体；第一排气系统，其与第一泵和类型不同于所述第一泵的第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；第二排气系统，其与所述第二泵连接，且对所述处理室内进行排气；以及控制部，其构成为以如下方式对所述第一排气系统及所述第二排气系统进行控制：在将供给至所述处理室内的所述处理气体从所述处理室内排出时，先从所述第二排气系统对所述处理室内进行排气，当所述处理室内的压力达到规定压力后，将排气路径从所述第二排气系统切换成所述第一排气系统，并从所述第一排气系统对所述处理室内进行排气。