[发明专利]末端炔烃C-H键的碱催化的甲硅烷基化有效

专利信息
申请号: 201580047299.9 申请日: 2015-09-01
公开(公告)号: CN106661059B 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: R·H·格鲁布斯;布莱恩·M·斯托尔兹;安东·陶拓夫;刘文博;凯丽·贝茨 申请(专利权)人: 加州理工学院
主分类号: C07F7/08 分类号: C07F7/08;C07F7/18;C07F7/10;C07F17/02;C07F7/12;C07J1/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 牟静芳;郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及温和、高效并且通常直接的C(sp)‑H键甲硅烷基化。多个实施方案包括方法,每个方法包括以下或主要由以下组成:使包含末端炔基C‑H键的至少一种有机基质与至少一种有机硅烷和碱金属氢氧化物的混合物在足以形成甲硅烷基化的末端炔基部分的条件下接触。该方法在基本上不存在过渡金属化合物下可操作。还公开了与这些方法相关的体系。
搜索关键词: 末端 催化 硅烷
【主权项】:
1.一种方法,所述方法包括使包含末端炔基C‑H键的至少一种有机基质与如下(a)和(b)的混合物在足以形成甲硅烷基化的末端炔基部分的条件下接触:(a)至少一种有机硅烷,其中所述有机硅烷包含至少一个Si‑H键,(b)碱金属氢氧化物催化剂,其中所述碱金属氢氧化物催化剂为氢氧化钠或氢氧化钾或其混合物。
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