[发明专利]磁场辅助的存储器操作有效
| 申请号： | 201580045595.5 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106605268B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | H.奈米;S-L.L.卢;S.托米施马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李雪娜;杜荔南 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，诸如自旋转移力矩（STT）随机存取存储器（RAM）之类的磁阻随机存取存储器（MRAM）例如具有位单元的子阵列和位于邻近子阵列的电磁体。引导磁场通过第一子阵列的位单元的铁磁器件以辅助将子阵列的位单元的状态从第一状态改变到第二状态，其中位单元的铁磁器件从平行和反平行极化中的一个改变到平行和反平行极化中的另一个。相应地，在来自电磁体的辅助下，子阵列的内容可以容易地被预置或擦除成平行或反平行状态中的一个。在正常写入操作期间，到所述另一状态的位被写入。本文描述了其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 辅助 存储器 操作 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：具有MRAM位单元的第一子阵列的磁阻（MRAM）位单元的阵列，其中每一个位单元包括具有极化的铁磁器件，所述极化在第一状态中为平行和反平行极化中的一个并且在第二状态中为平行和反平行极化中的另一个；控制电路，其被配置成将处于第一状态中的第一子阵列的位单元的状态改变成第二状态，使得第一子阵列的位单元的铁磁器件具有由处于第二状态中的位单元表现出的极化；以及电磁体，其位于邻近第一子阵列以引导磁场通过第一子阵列的位单元的铁磁器件以辅助将MRAM的位单元的阵列的第一子阵列的位单元的状态从第一状态改变到第二状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580045595.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造用于PSTTM应用的晶体磁性膜的方法
- 下一篇：堆外核检测仪表装置
