[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201580044524.3 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106796964B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 渡部武纪;大塚宽之 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种太阳能电池，其具有掺杂有镓且形成有pn结的硅基板，所述太阳能电池的特征在于，在所述硅基板的主表面中的至少具有p型区域的第一主表面设置有热氧化硅膜，并且所述硅基板进一步掺杂有硼。由此，本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池具有作为基板表面钝化膜的热氧化硅膜，并且能够抑制光劣化，同时具有高转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其具有掺杂有镓且形成有pn结的硅基板，所述太阳能电池的特征在于，在所述硅基板的主表面中的至少具有p型区域的第一主表面设置有热氧化硅膜，所述硅基板进一步掺杂有硼，所述硅基板中的硼浓度为5×1014原子/cm3以上且1×1016原子/cm3以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
