[发明专利]电气配线构件的制造方法、以及电气配线构件有效
| 申请号： | 201580043893.0 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106663505B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 滩秀明;上藤弘明;滋野博誉;坂田喜博;松井佑树;高山久弥 | 申请（专利权）人： | 日本写真印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C01G3/00;G06F3/041;G06F3/044;H01B5/14;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 钟海胜,涂琪顺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题为通过探索维持蚀刻控制性并且蚀刻速度与铜配线相近的材料作为黑化层的材料，从而提供具有铜配线与黑化层的层叠结构的电气配线构件的制造方法、以及电气配线构件。关于作为解决本发明课题的方法，本发明的电气配线构件的制造方法具有在基材的至少一个主面上形成Cu层3和CuNO系黑化层(2a、2b)的层叠膜6的工序、在层叠膜6上的规定区域形成抗蚀剂层4a的工序、通过使层叠膜6与蚀刻液接触从而除去层叠膜6的一部分区域的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电气 构件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
反射率5％以下的电气配线构件的制造方法，其具有下述工序：在基材的至少一个主面上形成依次层叠有Cu层和在波长400nm～700nm时的消光系数为1.0以上1.8以下的CuNO黑化层的层叠膜的工序、在所述层叠膜上的规定区域形成抗蚀剂层的工序、通过使所述层叠膜与蚀刻液接触从而除去所述层叠膜的未被所述抗蚀剂层覆盖的区域的工序、以及在所述基材和形成了图案的所述层叠膜上，形成作为折射率与所述CuNO黑化层不同的电介质层的SiO2层的工序。
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