[发明专利]低聚硅烷的制造方法有效
| 申请号： | 201580043836.2 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106573786B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 石原吉满;滨田秀昭;岛田茂;佐藤一彦;五十岚正安;内田博 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;B01J29/40;B01J29/44;B01J29/46;B01J29/70;B01J29/74 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低聚硅烷的制造方法，其特征在于，包括通过氢硅烷的脱氢缩合而生成低聚硅烷的反应工序，所述反应工序在沸石的存在下进行，所述沸石具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔。
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