[发明专利]用于EUV光刻的掩模、EUV光刻设备和用于确定由DUV辐射引起的对比度比例的方法有效
| 申请号： | 201580043465.8 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106575076B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | P.休伯 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/58;G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及用于EUV光刻的掩模(M)，包括：基底(7)，由设计用于反射EUV辐射(27)的多层涂层(8)的表面(8a)形成的第一表面区域(A |
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| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 设备 确定 duv 辐射 引起 对比度 比例 方法 | ||
【主权项】：
一种用于EUV光刻的掩模(M)，包括：基底(7)；第一表面区域(A1)，其由实施为反射EUV辐射(27)的多层涂层(8)的表面(8a)形成，所述表面(8a)背朝所述基底(7)，以及第二表面区域(A2)，其由实施为反射DUV辐射(28)并且抑制EUV辐射(27)的反射的另外的涂层(18)的表面(18a)形成，所述表面(18a)背朝所述基底(7)，其中所述另外的涂层是另外的多层涂层(18)。
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