[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

摘要

光电子器件和用于制造光电子器件的方法。在不同的实施例中提供了一种光电子器件（1）。所述光电子器件（1）具有：第一电极（20），所述第一电极（20）具有至少一个外部电极区段（51）和至少一个内部电极区段（53），所述外部电极区段（51）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）上，所述内部电极区段（53）与所述第一电极（20）的侧边缘（55）间隔开地来构造；被构造在所述第一电极（20）上方的导电的电流分配结构（60），所述电流分配结构（60）具有至少一个外部子结构（64）和至少一个内部子结构（66），所述外部子结构（64）至少在所述外部电极区段（51）上延伸，所述内部子结构（66）至少在所述内部电极区段（53）上延伸并且所述内部子结构（66）相对于所述外部子结构（64）电绝缘；至少一根馈电线（62），所述馈电线（62）从所述第一电极（20）的侧边缘（55）朝向所述内部子结构（66）延伸，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）电耦合，所述馈电线（62）与所述外部子结构（64）电绝缘并且所述馈电线（62）的结构与所述电流分配结构（60）相符；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述电流分配结构（60）和所述馈电线（62）；有机功能层结构（22），所述有机功能层结构（22）在所述第一电极（20）、所述电流分配结构（60）、所述馈电线（62）和所述绝缘结构（84）上方；和在所述有机功能层结构（22）上方的第二电极（23）。

主权项

1.光电子器件（1），其具有：第一电极（20），所述第一电极（20）具有至少一个外部电极区段（51）和至少一个内部电极区段（53），所述外部电极区段（51）被构造在所述第一电极（20）的侧边缘（55）上，所述内部电极区段（53）与所述第一电极（20）的侧边缘（55）间隔开地来构造，被构造在所述第一电极（20）上方的导电的电流分配结构（60），所述电流分配结构（60）具有至少一个外部子结构（64）和至少一个内部子结构（66），所述外部子结构（64）至少在所述外部电极区段（51）上延伸，所述内部子结构（66）至少在所述内部电极区段（53）上延伸并且所述内部子结构（66）相对于所述外部子结构（64）电绝缘，至少一根馈电线（62），所述馈电线（62）从所述第一电极（20）的侧边缘（55）朝向所述内部子结构（66）延伸，所述馈电线（62）与所述内部子结构（66）电耦合，所述馈电线（62）与所述外部子结构（64）电绝缘并且所述馈电线（62）的结构与所述电流分配结构（60）相符，绝缘结构（84），所述绝缘结构（84）覆盖所述电流分配结构（60）和所述馈电线（62），有机功能层结构（22），所述有机功能层结构（22）在所述第一电极（20）、所述电流分配结构（60）、所述馈电线（62）和所述绝缘结构（84）上方，第二电极（23），所述第二电极（23）在所述有机功能层结构（22）上方。