[发明专利]用于制备石墨烯纳米带的邻三联苯在审
| 申请号： | 201580038347.8 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106660803A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | M·G·施瓦布;K·米伦;冯新良;T·杜姆斯拉夫;P·吕菲克斯;R·法泽尔 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司;马克思—普朗克科学促进协会公司 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;C07C25/18;C08G61/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 李颖,林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通式(I)的邻三联苯，其中R1、R2、R3和R4独立地选自下组H；CN；NO2；和饱和、不饱和或芳族C1‑C40烃基，其可被F、Cl、OH、NH2、CN和/或NO2 1至5取代，且其中一个或多个‑CH2‑基团可被‑O‑、‑NH‑、‑S‑、‑C(＝O)O‑、‑OC(＝O)‑和/或‑C(＝O)‑替代；和X与Y相同或不同，且选自下组F、Cl、Br、I和OTf(三氟甲磺酸酯基)；以及它们用于制备石墨烯纳米带的用途以及由所述邻三联苯制备石墨烯纳米带的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 石墨 纳米 联苯 | ||
【主权项】：
通式(I)的邻三联苯：其中R1、R2、R3和R4独立地选自下组：H；CN；NO2；和饱和、不饱和或芳族C1‑C40烃基，其可被F、Cl、OH、NH2、CN和/或NO2 1至5取代，且其中一个或多个‑CH2‑基团可被‑O‑、‑NH‑、‑S‑、‑C(＝O)O‑、‑OC(＝O)‑和/或‑C(＝O)‑替代；和X与Y相同或不同，且选自下组：F、Cl、Br、I和OTf(三氟甲磺酸酯基)。
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