[发明专利]用于确定衬底中的应力的光学系统和方法有效
申请号: | 201580035568.X | 申请日: | 2015-05-28 |
公开(公告)号: | CN106796899B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 哈普雷·J·马里斯 | 申请(专利权)人: | 布朗大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫晔 |
地址: | 美国罗*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于测量衬底中的多维应力特性的方法和系统。总体上,所述方法包括将光泵浦脉冲序列施加到衬底。光泵浦脉冲在衬底中诱导传播的应变脉冲。还施加光学探测脉冲。通过分析由传播的应变脉冲引起的瞬态光学响应,可以确定表征衬底中的应力的多维应力分量。还可以在衬底的深度处确定多维应力分量。还可以在邻近硅通孔的区域处确定多维应力分量。 | ||
搜索关键词: | 用于 确定 衬底 中的 应力 光学系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于确定材料中的多维应力分量的方法,所述方法包括:将光泵浦脉冲序列施加到所述材料的表面,所述光泵浦脉冲中的单独脉冲在所述材料中诱导传播的应变脉冲;对于所述光泵浦脉冲中的至少一个,施加至少一个光学探测脉冲;检测所述材料对所述光学探测脉冲的瞬态光学响应的变化,所述变化至少部分地归因于所述材料中的应变脉冲的传播;基于检测到的所述材料的瞬态光学响应的变化,确定检测到的所述变化的振荡周期;将所确定的振荡周期与具有与所述材料基本相似的组成的基本无应力样品的参考振荡周期进行比较;以及基于所述比较操作的结果,确定应力张量的至少第一应力分量和第二应力分量,其中,所述第一应力分量表示第一方向上的应力,并且所述第二应力分量表示第二方向上的应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布朗大学,未经布朗大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580035568.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:化合物半导体场效应晶体管
- 下一篇:具有射频分路的静电卡盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造