[发明专利]氧化物介电体及其制造方法、以及固态电子装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580032577.3 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN106458631B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;井上聪;有贺智纪 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;安达满纳米奇精密宝石有限公司 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;C04B35/00;H01G4/12 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国石川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 介电体 及其 制造 方法 以及 固态 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物介电体，其是仅由铋(Bi)、铌(Nb)以及氧构成的氧化物即BNO，所述氧化物可包含不可避免的杂质，/n所述氧化物介电体含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相以及β-BiNbO
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