[发明专利]形成存储器单元材料的方法及形成半导体装置结构的相关方法、存储器单元材料以及半导体装置结构有效
| 申请号： | 201580029162.0 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106463616B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;约翰·A·斯迈思 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成存储器单元材料的方法包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质材料的第一部分。通过原子层沉积在所述电介质材料的所述第一部分上形成离散导电粒子。通过原子层沉积在所述离散导电粒子上及之间形成所述电介质材料的第二部分。本发明还描述一种存储器单元材料、一种形成半导体装置结构的方法及一种半导体装置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储器 单元 材料 方法 半导体 装置 结构 相关 以及 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储器单元材料的方法，其包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质氮化物材料的第一部分；通过原子层沉积在所述电介质氮化物材料的所述第一部分上形成离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子；及通过原子层沉积在所述离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子上及之间形成所述电介质氮化物材料的第二部分；通过原子层沉积在所述电介质氮化物材料的所述第二部分上形成额外离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子，所述额外离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子中的至少一些与其最接近但是从所述额外离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子中的所述至少一些完全横向偏移的所述离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子的至少一些展现大致上相同的尺寸；以及通过原子层沉积在所述额外离散、大致上均匀地间隔开的导电粒子上及之间形成所述电介质氮化物材料的第三部分。
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