[发明专利]磁阻元件、磁传感器以及电流传感器在审

专利信息
申请号: 201580028916.0 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN106463612A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 牛见义光;米田年麿;岛津武仁 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;G01R15/20;G01R33/09;G11B5/39;H01F10/14;H01F10/16;H01L43/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 暂无信息 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及磁阻元件、磁传感器以及电流传感器。磁阻元件(1)具备基板(10)、被设置在基板(10)的上方且将反强磁性体层(14)和强磁性体层(15)从基板(10)侧起按顺序层叠而成的层叠体(12)、以及被设置在层叠体(12)的两端的电极部(18)。强磁性体层(15)被设置在反强磁性体层(14)上以便覆盖反强磁性体层(14)的主面整体,通过强磁性体层(15)与反强磁性体层(14)之间所产生的交换耦合磁场而被固定的强磁性体层(15)的磁化方向和以最短距离连接电极部(18)间的方向交叉。
搜索关键词: 磁阻 元件 传感器 以及 电流传感器
【主权项】:
一种磁阻元件,具备:基板;被设置在所述基板的上方且由反强磁性体层和强磁性体层层叠而成的层叠体;以及被设置在所述层叠体的两端的电极部,所述强磁性体层以及所述反强磁性体层的一方被设置在所述强磁性体层以及所述反强磁性体层的另一方上以便覆盖所述强磁性体层以及所述反强磁性体层的另一方的主面整体,通过在所述强磁性体层与所述反强磁性体层之间产生的交换耦合磁场而被固定的所述强磁性体层的磁化方向和以最短距离连接所述电极部间的方向交叉。
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