[发明专利]用于半导体器件的电接触结构和半导体器件有效
| 申请号： | 201580028224.6 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106415871B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 科比尼安·佩尔茨尔迈尔;比约恩·米曼;卡尔·恩格尔;克里斯蒂安·艾兴格 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加第一金属接触层(2)；第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层(2)；和分离层(4)，所述分离层设置在透明导电接触层(1)和第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将第二金属接触层(3)与透明导电接触层(1)分离。此外，提出一种具有这种电接触结构(10)的半导体器件(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 接触 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：‑透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加有第一金属接触层(2)；‑第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖所述第一金属接触层(2)；和‑分离层(4)，所述分离层设置在所述透明导电接触层(1)和所述第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将所述第二金属接触层(3)与所述透明导电接触层(1)分离，其中所述分离层(4)在所述第二金属接触层(3)下方伸出；其中在所述第一金属接触层(2)和所述第二金属接触层(3)之间设置有势垒层(5)，所述势垒层完全地遮盖所述第一金属接触层(2)，并且所述势垒层由所述第二金属接触层(3)遮盖；其中所述势垒层(5)部分地遮盖所述分离层(4)；其中所述势垒层(5)直接地在所述透明导电接触层(1)上设置在包围所述第一金属接触层(1)的区域中，和其中所述分离层(4)与所述第一金属接触层(2)间隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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